Teknologi laser adalah salah satu daripada "Empat Ciptaan Baru" abad ke-20. Ia juga merupakan hala tuju pembangunan utama revolusi pembuatan "Industri Dunia 4.0" dan "Dibuat di China 2025". Dengan pemprosesan industri negara saya, kecantikan bioperubatan, dan komunikasi optik berkelajuan tinggi Dengan perkembangan pesat industri seperti penglihatan mesin dan penderiaan, paparan laser, dan pencahayaan laser, permintaan domestik untuk laser telah berkembang dengan pesat. Cip laser adalah peranti teras yang sangat diperlukan untuk pembangunan industri laser dan teras teknologi keseluruhan rantaian industri laser. Walau bagaimanapun, industri cip laser di negara saya bermula lewat, dan berbanding dengan syarikat asing, daya saing keseluruhan tidak mencukupi. Dalam konteks keadaan politik dan ekonomi antarabangsa yang tidak menentu dan transformasi dan peningkatan industri perkilangan domestik, penyetempatan cip laser akan berlaku.
Everbright Huaxin telah mendesak penyelidikan dan pembangunan bebas dan pengeluaran cip laser berkuasa tinggi sejak penubuhannya pada tahun 2012. 9XXnm 15W, 20W, dan 25W cip tiub tunggal yang telah dilancarkan secara berturut-turut telah diuji dalam pasaran perindustrian selama bertahun-tahun dan telah mendapat kepercayaan dan pengiktirafan yang meluas dalam pasaran.
Untuk memenuhi permintaan pasaran dan meningkatkan kuasa output dan nisbah harga kepada kuasa sumber pam laser, Everbright Huaxin telah melancarkan cip laser semikonduktor 9XXnm 28W baru, yang telah meningkatkan penunjuk prestasi dan kebolehpercayaannya.
01 Petunjuk prestasi telah mencapai tahap lanjutan antarabangsa
Meningkatkan kuasa dan kecekapan
Kuasa output dan kecekapan laser semikonduktor terutamanya dipengaruhi oleh faktor-faktor seperti ambang laser, cerun dan peralihan kuasa semasa yang tinggi. Dengan mengoptimumkan reka bentuk struktur epitaxial, Changguang Huaxin berkesan mengelakkan peralihan semasa yang tinggi dan meningkatkan kecekapan penukaran fotoelektrik.
1. Meningkatkan kecekapan
Biasanya dengan mengurangkan kepekatan doping persimpangan PN untuk menurunkan ambang dan meningkatkan cerun, kepekatan doping yang terlalu rendah akan meningkatkan rintangan persimpangan PN dan meningkatkan voltan cip. Untuk menyelesaikan masalah keseimbangan optimum ambang, cerun dan voltan, kami mengoptimumkan gelombang struktur rongga optik besar asimetrik, meningkatkan ketebalan lapisan gelombang, dan dengan teliti mereka bentuk pengedaran kepekatan doping di kawasan yang berbeza di persimpangan PN untuk mengurangkan medan optik dan doping tinggi. Pertindihan pembawa percuma dalam lapisan pengasingan impurity mengurangkan kerugian penyerapan untuk memastikan bahawa voltan kekal pada dasarnya tidak berubah apabila ambang diturunkan dan kecekapan cerun dipertingkatkan, dengan itu meningkatkan kecekapan cip.
2. Elakkan peralihan semasa yang tinggi
Lenturan semasa yang tinggi adalah disebabkan terutamanya oleh penurunan kecekapan kuantum dalaman semasa suntikan semasa yang tinggi. Dengan mengoptimumkan struktur band tenaga bahan berhampiran kawasan keuntungan struktur laser dan meningkatkan keupayaan persimpangan PN untuk menyuntik elektron, kecekapan kuantum semasa suntikan semasa suntikan semasa tinggi dipertingkatkan, dan fenomena lenturan semasa yang tinggi berkesan dielakkan.
Tingkatkan kualiti rasuk, tingkatkan kecerahan
Changguang Huaxin meningkatkan kehilangan mod pesanan tinggi yang berselerak, menyekat mod sampingan pesanan tinggi, meningkatkan kualiti rasuk cip laser, dan meningkatkan kecerahan melalui kaedah kejuruteraan pengubahsuaian anti-gelombang dan mikrostruktur. Pada masa ini, cip tiub tunggal Changguang Huaxin mencapai 95% daripada paksi perlahan. Sudut penentu tenaga ialah 9°, dan kecerahannya lebih besar daripada 80MW/cm2sr.
Melalui rawatan dan pencegahan yang berkesan daripada pelbagai faktor yang mempengaruhi, cip satu tiub yang dibangunkan secara bebas oleh Changguang Huaxin telah mencapai output kuasa komersial 28W, kuasa ujian mencapai lebih daripada 30W, paksi perlahan 95% sudut perbezaan tenaga 9°, kecerahan lebih besar daripada 80MW / cm2sr, kecekapan Mencapai 65%, beberapa penunjuk prestasi mencapai tahap terkemuka antarabangsa.
02 Kebolehpercayaan tinggi untuk memenuhi keperluan pasaran perindustrian
Semasa mengejar kuasa output yang lebih tinggi dan kecekapan penukaran, memenuhi keperluan pasaran perindustrian yang lebih tinggi untuk kehidupan laser juga merupakan arah usaha kami yang tidak terbalas.
Teknologi pemprosesan permukaan rongga adalah kunci untuk menentukan kebolehpercayaan dan aplikasi industri cip laser semikonduktor berkuasa tinggi. Peningkatan kuasa cip laser disertai dengan peningkatan suhu persimpangan cip dan ketumpatan kuasa optik permukaan rongga, yang meletakkan keperluan yang lebih tinggi untuk rintangan kerosakan permukaan rongga. Berdasarkan tahun pengumpulan teknologi utama untuk rawatan permukaan rongga khas, Everbright telah meningkatkan tahap proses peralatan penyelidikan dan pembangunan bebas, membangunkan teknologi rawatan permukaan rongga baru, meningkatkan tahap kualiti kawalan rawatan permukaan rongga, dan meningkatkan keupayaan permukaan rongga untuk menentang kerosakan bencana optik , Untuk memastikan bahawa cip laser berkuasa tinggi 28W memenuhi keperluan pasaran perindustrian untuk kehidupan Laser.
